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元件参数资料
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参数目录42106
> STB2N62K3 MOSFET N-CH 620V 2.2A D2PAK
型号:
STB2N62K3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 620V 2.2A D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STB2N62K3 PDF
标准包装
1,000
系列
SuperMESH3™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
620V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
3.6 欧姆 @ 1.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
340pF @ 50V
功率 - 最大
45W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
TO-263(D2Pak)
包装
带卷 (TR)
其它名称
497-12971-2
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